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SK海力士DDR5-6400内存细节:存储密度翻番

2019-2-28 01:34 AM/ 发布者: yuhangg/ 查看: 2378/ 评论: 0

摘要SK海力士近日公布了第一颗DDR5-6400内存芯片,频率高达6400MHz,是现在多数DDR4内存的两倍左右,而单颗容量为16Gb(2GB)。SK海力士的这种DDR5-6400内存采用1ynm工艺制造,也就是第二代10nm级别工艺(DRAM工艺现在极少 ...

SK海力士近日公布了第一颗DDR5-6400内存芯片,频率高达6400MHz,是现在多数DDR4内存的两倍左右,而单颗容量为16Gb(2GB)。

SK海力士的这种DDR5-6400内存采用1ynm工艺制造,也就是第二代10nm级别工艺(DRAM工艺现在极少明确到个位数),四个金属层,面积为76.22平方毫米。

这是什么概念呢?

SK海力士此前的第一代21nm工艺8Gb(1GB) DDR4内存芯片面积是76平方毫米,等于如今在同样的面积内实现了两倍的容量,存储密度翻了一番。

不过,76.22平方毫米仍然是相当大的面积,成本肯定很高,后续仍依赖于工艺的进步,比如第二代21nm工艺的8Gb DDR4就缩小到了53.6平方毫米,足足30%。

当然了,翻番的存储密度可以有效抵消上涨的成本,更何况还可以做出更小的4Gb芯片。

另外,新内存的工作电压仅为1.1V,相比于DDR4标准的1.2V又降低了大约8%,而很多高频DDR4内存都要加到1.35V甚至是很危险的1.5V。

为了达成6400MHz高频率、1.1V低电压,SK海力士在电路设计上费了不少心思,比如为了减少高频下的时钟抖动、时钟占空比失真,加装了新的延迟锁定环DLL,使用了相位旋转器(phase rotator)、注频锁相振荡器(injection locked oscillator)。

另外还有新的前向反馈均衡(FFE)电路,以及新的写入均衡训练算法。

目前,三星电子、SK海力士、美光等巨头都在冲刺DDR5,但是行业规范迟迟没能定下来,原计划2018年底出炉现已严重超时,而且JEDEC组织一直没有给出新的时间表。

而在另一方面,针对智能手机等低功耗便携式设备的LPDDR5都已经搞定了。

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