设为首页收藏本站

PCFuns玩家联盟|关注你的DIY梦想

搜索

SK海力士1Ynm DDR4芯片研制完成:8Gb容量、功耗减少15%

2018-11-12 03:08 PM/ 发布者: yuhangg/ 查看: 3557/ 评论: 0

摘要11月12日消息,SK Hynix(SK海力士)宣布研发完成基于1Ynm工艺的8Gb(1GB)容量DDR4 DRAM芯片。该芯片最高支持3200Mbps,即3200MHz频率,号称可以提供最佳的性能和容量密度。技术指标方面,相较于1Xnm,1Ynm芯片的生 ...

11月12日消息,SK Hynix(SK海力士)宣布研发完成基于1Ynm工艺的8Gb(1GB)容量DDR4 DRAM芯片。

该芯片最高支持3200Mbps,即3200MHz频率,号称可以提供最佳的性能和容量密度。

技术指标方面,相较于1Xnm,1Ynm芯片的生产率提高了20%,功耗降低了15%。

SK海力士还表示,新的1Ynm芯片还显著提高了传感器精准度、调整了晶体管结构,使得数据传输的出错率降低。

官方称,1Ynm DDR4 DRAM芯片将于明年一季度出货,率先用于服务器和PC产品上,最后向手机等领域推广。

科普:

在存储芯片从20+nm进入10+nm工艺之后,厂商对工艺的描述已经不再使用具体的数字了,20nm之后是1x nm工艺,再往后则是1y nm工艺,还有1z nm工艺的说法,至于XYZ具体的含义,由于每家公司的工艺并不一样,所以缺少详细的解释。

SK海力士1Ynm DDR4芯片研制完成:8Gb容量、功耗减少15%

最新评论

返回顶部