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美光单芯片整合12GB LPDDR5内存、256GB 96层闪存

2020-3-12 02:07 PM| 发布者: yuhangg| 查看: 7954| 评论: 0

摘要: 美光宣布,已经成功试产了全球第一个将LPDDR5 DRAM内存颗粒、96层堆叠3D NAND闪存颗粒整合封装在一起的芯片“uMCP5”,面向追求高速内存、高性能存储的主流和旗舰5G智能手机,当然用在中高端4G手机里也没问题。如今 ...

美光宣布,已经成功试产了全球第一个将LPDDR5 DRAM内存颗粒、96层堆叠3D NAND闪存颗粒整合封装在一起的芯片“uMCP5”,面向追求高速内存、高性能存储的主流和旗舰5G智能手机,当然用在中高端4G手机里也没问题。

如今的5G旗舰手机已经将LPDDR5内存、UFS 3.0/3.1闪存作为标准配置,而且都是大容量,但由于传统手机中的内存都是与SoC处理器整合封装,闪存则是独立芯片,会占用不少空间,加之5G手机内部元器件急剧增加、结构非常复杂,整体设计难度也大大增加。

美光uMCP5单芯片整合了12GB容量、6400MHz频率、第二代10nm工艺制造的双通道LPDDR5内存,256GB容量、96层堆叠、UFS接口的3D TLC闪存,以及板载控制器,对外则是297针标准BGA封装。

美光表示,uMCP5相比传统内存、闪存双芯片组合可以节省40%的面积,同时内存和存储带宽比上代方案提升50%。

美光表示,uMCP5芯片已经向特定客户提供样品,但未披露具体都有谁。

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