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美光流片第四代3D闪存:全新替换栅极架构

2019-10-5 02:51 PM| 发布者: yuhangg| 查看: 1356| 评论: 0

摘要: 美光宣布,已经完成第四代3D NAND闪存的首次流片,应用了全新的替换栅极(RG)架构,并计划在明年投入量产。美光第四代3D闪存堆叠了最多128层,继续使用阵列下CMOS设计思路,不过美光与Intel使用多年的浮动栅极(floati ...

美光宣布,已经完成第四代3D NAND闪存的首次流片,应用了全新的替换栅极(RG)架构,并计划在明年投入量产。

美光第四代3D闪存堆叠了最多128层,继续使用阵列下CMOS设计思路,不过美光与Intel使用多年的浮动栅极(floating gate)换成了替换栅极(replacement gate),以缩小尺寸、降低成本、提升性能,升级到下一代制造工艺也更容易。

这种新架构是美光独自研发的,并没有Intel的帮助,双方已经越走越远。

不过,完成流片只是美光新闪存的一步尝试,美光还没有计划将任何一条产品线转向RG架构,暂时也不会带来真正的成本降低。

目前,美光的首要任务是扩大96层3D闪存的产能,明年将其应用到各条产品线。

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