Rampage III Black Edition评测

Rampage III Black Edition 供电

　　R3BE在供电方案与R3E几乎相同，核心供电为8-phase，Uncore部分为3-phase，内存VRM为3-phase，北桥供电为3-phase，而在某种程度上说R3BE吸取了MIVE的下料方面的改进，下面我们来详细地看一下。

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CPU VRM部分

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IRF（国际整流器公司）DirectFET mosfet

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PCB背面的8颗Mosfet驱动IC

　　8-phase CPU VRM元件布局与R3E几乎一致，密密麻麻的元件同样是为了在高频DC-DC PWM供电下提供更稳定的输出电流。R3BE每相供电的Mosfet都采用2上2下的IRF国际整流器公司DirectFET mosfet（感谢会员allen4444指正），系列型号为6725，和MIVE采用的英飞凌metal CanPAK封装的Mosfet在品牌上进行了更换，但其均属SO8衍生的同一类Mosfet，包括封装形式，高频开关频率下具有极低的阻抗，属于SO-8封装的衍生体的一种。 电感方面R3BE依然采用的是Trio LM-68B，感值为0.68μH，阻抗仅为1.38mΩ。

　　而输出部分R3BE采用了与MIVE相同的Proadlizer薄膜去藕电容作为输出部分的主电容，编号为“PFAF250E907MCBTE”，容值为900μF，ESR仅为1.5mΩ，换下当年R3E的FPCAP ML估计也是为了在极限频率下更优秀的输出质量，此点可以称为R3BE的一个亮点。

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CHiL CHL8318-20 PWM主控

　　CHL8318是CHiL旗下VRM11.1协议的一款CPU供电主控，最高支持8-phase，通过SMBus总线可以实现VID数字调节，可以达到1MHz控制频率，并且可以设定多种VID调节模式与OV/OCP，这也是R3BE在BIOS中具备丰富超频设置的硬件条件。

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北桥3-phase供电

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Uncore与内存供电部分

　　R3BE与R3E一样将Uncore供电与内存供电安排在了内存槽附近，分别为3-phase，每相采用了上下各一颗4脚LFPAK封装9025L低阻抗Mosfet，而8脚的同样型号成本要稍高一些，但估计Asus这样做是为了减少线路密集区域走线的负担。两部分主控同样为uP6207，其中内存3-phase的主控在上图最右侧，而Uncore供电主控则被挡在了南桥10R的散热片下。